薄膜生成方法（真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタ、CVD）の違い
※本資料は個人の学習用として制作されたものであって、内容の信憑性については保証しません。 ■ 薄膜生成方法の違い ※原子または分子は音速から音速の数千倍のスピードで飛ぶ。（スピードは薄膜技術の違いによる） 真空蒸着：蒸発材を融点まで加熱し、蒸発させて飛ばす方式。主に研究用と一部生産に用いられる。飛ぶ粒子の大きさは１００万分の０．３ミリ程度。 イオンプレーティング：蒸発材をプラズマ化して（高周波コイルなどを用いる）、基盤に負の電圧をかけて、高速に加速したイオンを激突させる。蒸着材の基板突入時のエネルギーが蒸着の何万倍もあり、さまざまな改善の試みが可能。主に研究用と一部生産に用いられる。 スパッタ：アルゴンなどを放電してプラズマ化して、薄膜材料の板に激突させ、これの原子や分子を跳ね飛ばす技術。跳ね飛ばされた原子や分子は蒸着の５０倍程度のスピードで飛んで行き薄膜となる。ターゲットの板が大きくできて、膜の分布が良くなり、長く使えることから連続量産に適している。主に量産と研究用に用いられる。 気相成長（CVD)：Siの薄膜を作りたいときなど、シラン（SiH4)を数百度の高温に加熱した基板の表面に送り、熱分解、酸化、還元、置換などの反応を繰り返して薄膜を作る技術。プラスチックなど、熱に弱い基盤には使えない。主に量産と研究用に用いられる。 ■ 真空にする理由 不純物が入り込まないようにすること、ソースが途中で酸化や窒化されないようにすること。 基板に到着した期待は、そこで急速冷却されて、液体→固体となり、薄膜になる。この急冷のせいで、膜は多くの欠陥を内包することになる。 ■ 薄膜加工の用語 MBE：分子線エピタキシーの略。超高真空中において物質を加熱（電子銃など用いる）し，蒸発昇華により気相として基板上に供給し，結晶成長を行なう方法である。 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)：有機金属気相成長法。半導体レーザ等の生産に用いられている化合物体の薄膜成長法。 密着露光：マスクとウェハとを密着させた状態で露光するものである。 近接露光：マスクとウェハとを近接させた状態で露光するものである。 投影露光：マスクとウェハの間に光学系（レンズ）を配置して、マスクの像を縮小、等倍、拡大して露光するものである。
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