真性半導体
シリコン原子（Si）は最外殻に電子を４個持ち、まわりの原子と電子を共有することで最外殻に８個電子を持った形で結合しています。この結合は安定であるため、電気（電子）を流すには熱や光などで一定量以上のエネルギーを与えなければなりません。
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ｐ型半導体
シリコン原子に３価の原子（B：ホウ素など）を注入すると、最外殻に７個の電子しか持たない状態になりま す。エネルギーを与えると、となりの原子から正孔に電子が流れ込み、またそのとなりの原子の電子が流れ込むという状態が続いて起こるた め、真性半導体よりはるかに少ないエネルギー量で電気が流れます。
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ｎ型半導体
シリコン原子に５価の原子（P：リンなど）を注入する と、最外殻に電子が１つ余った状態になります。この電子は束縛を受けていないために、真性半導体よりはるかに少ないエネルギー量で電気を流すことができます。
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